紫外线曝光装置

偏光曝光装置

偏光露光装置

以水银氙气灯为光源,使用紫外线冷镜与阵列透镜获得均匀度优秀的偏光照明装置。
使用偏光消光比50:1以上的光。
使用高穿透的带通干涉滤光片,得以选择照射波长。
照射面积、照射强度依需求制作。

照度分布 ±3%以内
照射面积 请与我们联系
照射強度 请与我们联系
分光特性 250nm~500nm(可由干涉滤光片选定波长)
偏光消光比 50:1以上(消光比=S波:P波 使用S波)
(偏光度 98%以上)
选配
高穿透带通干涉滤光片
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〒192-0152 东京都八王子市美山町 2161-14
工厂所在地
〒192-0152 东京都八王子市美山町 2161-14